MT53E1G32D2FW-046 AIT:B Micron Technology Inc.
 Виробник: Micron Technology Inc.
                                                Виробник: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 3013.58 грн | 
| 10+ | 2682.80 грн | 
| 25+ | 2596.24 грн | 
| 50+ | 2375.76 грн | 
| 100+ | 2315.93 грн | 
| 250+ | 2238.45 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 AIT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:B - DRAM, LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015). 
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 AIT:B за ціною від 2251.44 грн до 5681.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | Виробник : MICRON |  Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:B - DRAM, LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1339 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | Виробник : Micron Technology |  LPDDR4 Z42M 32Gb | на замовлення 1360 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | Виробник : Micron Technology |  DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 1049 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | Виробник : Micron Technology |  DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 1049 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | Виробник : Micron |  DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT | на замовлення 277 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 |