Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT53E1G32D2FW-046 AUT:B
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B Micron Technology Inc.

MT53E1G32D2FW-046.pdf
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1G x 32
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Box
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7399.42 грн
10+6567.89 грн
25+6351.08 грн
50+5809.23 грн
100+5661.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 AUT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 AUT:B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MICRON MICT-S-A0015638924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B Micron MT53E1G32D2FW-046.pdf DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 UT
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MICT-S-A0015638924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E1G32D2FW-046.pdf
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 UT
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.