MT53E1G32D2FW-046 IT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2454.78 грн |
| 10+ | 2186.28 грн |
| 25+ | 2116.15 грн |
| 50+ | 1936.64 грн |
| 100+ | 1888.04 грн |
| 250+ | 1825.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 IT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 IT:B - DRAM, LPDDR4, 32GB, 1G x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 IT:B за ціною від 4519.38 грн до 6260.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 IT:B - DRAM, LPDDR4, 32GB, 1G x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Виробник : Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Tray |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Виробник : Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Tray |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Виробник : MICRON TECHNOLOGY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory Type of integrated circuit: DRAM memory |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Виробник : Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Виробник : Micron Technology |
LPDDR4 Z42M 16Gb |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |

