MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2087.24 грн |
10+ | 1859.74 грн |
25+ | 1800.34 грн |
50+ | 1647.74 грн |
100+ | 1631.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 1G x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR за ціною від 1587.02 грн до 2481.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 4045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Виробник : Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Виробник : Micron Technology | MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |