| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5862.51 грн |
| 10+ | 5332.31 грн |
| 25+ | 4484.82 грн |
| 50+ | 4372.71 грн |
| 100+ | 4262.87 грн |
| 250+ | 4261.36 грн |
| 500+ | 4260.61 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR Micron
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 1G x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR за ціною від 10664.57 грн до 13601.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR |
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13601.46 грн |
| 10+ | 12061.41 грн |
| 25+ | 11660.67 грн |
| 50+ | 10664.57 грн |