MT53E1G32D2FW-046 WT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4111.45 грн |
| 10+ | 3656.33 грн |
| 25+ | 3537.50 грн |
| 50+ | 3236.58 грн |
| 100+ | 3154.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 WT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 WT:B за ціною від 2642.63 грн до 5950.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
на замовлення 94000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Виробник : Micron |
DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
товару немає в наявності |