Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT53E1G32D2FW-046 WT:B
MT53E1G32D2FW-046 WT:B

MT53E1G32D2FW-046 WT:B Micron Technology Inc.

MT53E512M32D1_MT53E1G32D2_MT53E512M64D2_RevG_May2022.pdf
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13312.28 грн
10+11804.97 грн
25+11412.76 грн
50+10437.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 WT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 WT:B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MT53E1G32D2FW-046 WT:B MICRON MICT-S-A0015462235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E1G32D2FW-046 WT:B Micron MT53E512M32D1_MT53E1G32D2_MT53E512M64D2_RevG_May2022.pdf DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MICT-S-A0015462235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MT53E1G32D2FW-046 WT:B
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MT53E512M32D1_MT53E1G32D2_MT53E512M64D2_RevG_May2022.pdf
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.