MT53E256M16D1DS-046 AAT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 865.19 грн |
| 10+ | 773.01 грн |
| 25+ | 748.90 грн |
| 50+ | 685.79 грн |
| 100+ | 668.90 грн |
| 250+ | 646.88 грн |
| 500+ | 621.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E256M16D1DS-046 AAT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MT53E256M16D1DS-046 AAT:B за ціною від 682.48 грн до 1234.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | Виробник : Micron |
DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 WFBGA 1 AT |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|