Продукція > MICRON > MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B Micron

200b_z00m_sdp_ddp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf?rev=9b80f1b069f84749b2d7e768be1de525
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 WFBGA 1 AT
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1138.89 грн
10+1040.71 грн
25+782.77 грн
50+772.99 грн
100+753.44 грн
250+735.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E256M16D1DS-046 AAT:B Micron

Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції MT53E256M16D1DS-046 AAT:B за ціною від 1355.48 грн до 2843.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B MT53E256M16D1DS-046 AAT:B Micron Technology Inc. 200b_z00m_sdp_ddp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf?rev=9b80f1b069f84749b2d7e768be1de525 Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1818.57 грн
10+1622.09 грн
25+1570.69 грн
50+1437.83 грн
100+1402.02 грн
250+1355.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B MT53E256M16D1DS-046 AAT:B MICRON MICT-S-A0014631087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2843.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B 200b_z00m_sdp_ddp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf?rev=9b80f1b069f84749b2d7e768be1de525
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1818.57 грн
10+1622.09 грн
25+1570.69 грн
50+1437.83 грн
100+1402.02 грн
250+1355.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B MICT-S-A0014631087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2843.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.