Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT53E256M16D1DS-046 WT:B
MT53E256M16D1DS-046 WT:B

MT53E256M16D1DS-046 WT:B Micron Technology Inc.


Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 16
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.1V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-WFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E256M16D1DS-046 WT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -30°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції MT53E256M16D1DS-046 WT:B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT53E256M16D1DS-046 WT:B MT53E256M16D1DS-046 WT:B Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 WFBGA 1 WT
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M16D1DS-046 WT:B MT53E256M16D1DS-046 WT:B MICRON Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M16D1DS-046 WT:B
MT53E256M16D1DS-046 WT:B
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 WFBGA 1 WT
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M16D1DS-046 WT:B
MT53E256M16D1DS-046 WT:B
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.