MT53E256M32D1KS-046 AAT:L Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1103.38 грн |
| 10+ | 985.90 грн |
| 25+ | 955.07 грн |
| 40+ | 881.55 грн |
| 80+ | 859.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E256M32D1KS-046 AAT:L Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 AAT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E256M32D1KS-046 AAT:L за ціною від 980.42 грн до 1870.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L | Виробник : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 AAT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L | Виробник : Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 AT |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|