MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 817.52 грн |
| 10+ | 728.74 грн |
| 25+ | 712.21 грн |
| 40+ | 664.79 грн |
| 80+ | 585.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E256M32D1KS-046 WT:L за ціною від 864.63 грн до 6706.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Виробник : Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 WT |
на замовлення 3764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Виробник : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Виробник : MICRON TECHNOLOGY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 2.133GHz; -25÷85°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 8Gb DRAM Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Operating temperature: -25...85°C Supply voltage: 1.1...1.17V |
товару немає в наявності |