Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT53E256M32D1KS-046 WT:L
MT53E256M32D1KS-046 WT:L

MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc.


Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+808.23 грн
10+720.46 грн
25+704.12 грн
40+657.24 грн
80+578.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit.

Інші пропозиції MT53E256M32D1KS-046 WT:L за ціною від 6169.30 грн до 6169.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT53E256M32D1KS-046 WT:L MT53E256M32D1KS-046 WT:L MICRON MICT-S-A0018251356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6169.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D1KS-046 WT:L MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 WT
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D1KS-046 WT:L MICT-S-A0018251356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MT53E256M32D1KS-046 WT:L
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6169.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D1KS-046 WT:L
MT53E256M32D1KS-046 WT:L
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 WT
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.