MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1166.66 грн |
| 10+ | 1040.22 грн |
| 25+ | 1026.06 грн |
| 40+ | 950.84 грн |
| 80+ | 833.26 грн |
| 230+ | 797.54 грн |
| 440+ | 779.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MT53E256M32D2DS-046 IT:B за ціною від 815.87 грн до 1409.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Виробник : Micron |
DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Виробник : MICRON |
|
на замовлення 2409 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM |
на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |