Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT53E256M32D2DS-046 IT:B
MT53E256M32D2DS-046 IT:B

MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc.

200b_z00m_non_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1146.51 грн
10+1022.26 грн
25+1008.35 грн
40+934.42 грн
80+818.88 грн
230+783.77 грн
440+765.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MT53E256M32D2DS-046 IT:B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT53E256M32D2DS-046 IT:B MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron 200b_z00m_sdp_ddp_auto_lpddr4_lpddr4x-3193603.pdf DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D2DS-046 IT:B MT53E256M32D2DS-046 IT:B MICRON MICT-S-A0009094583-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D2DS-046 IT:B MICRON 200b_z00m_non_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D2DS-046 IT:B 200b_z00m_sdp_ddp_auto_lpddr4_lpddr4x-3193603.pdf
MT53E256M32D2DS-046 IT:B
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D2DS-046 IT:B MICT-S-A0009094583-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
MT53E256M32D2DS-046 IT:B
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D2DS-046 IT:B 200b_z00m_non_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf
Виробник: MICRON
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.