Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B

MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron Technology Inc.


Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 32
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.866 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.1V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-WFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1253.66 грн
10+1117.00 грн
25+1101.82 грн
40+1021.04 грн
80+894.79 грн
230+856.43 грн
440+836.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MT53E256M32D2DS-053 AIT:B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B MT53E256M32D2DS-053 AIT:B MICRON Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
Виробник: Micron
DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.