MT53E256M32D2DS-053 AUT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1590.82 грн |
| 10+ | 1426.15 грн |
| 25+ | 1410.85 грн |
| 40+ | 1291.37 грн |
| 80+ | 1133.64 грн |
| 230+ | 1095.40 грн |
| 440+ | 1048.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E256M32D2DS-053 AUT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MT53E256M32D2DS-053 AUT:B за ціною від 1006.61 грн до 2018.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | Виробник : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V Automotive 200-Pin WFBGA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | Виробник : Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AUT |
товару немає в наявності |