MT53E256M32D2FW-046 AIT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E256M32D2FW-046 AIT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit.
Інші пропозиції MT53E256M32D2FW-046 AIT:B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E256M32D2FW-046 AIT:B | Micron |
DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MT53E256M32D2FW-046 AIT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MT53E256M32D2FW-046 AIT:B |
|
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MT53E256M32D2FW-046 AIT:B |
|
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.