Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C

MT53E2G32D4DE-046 AAT:C Micron Technology Inc.


Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 2G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12792.30 грн
10+11340.23 грн
25+10962.72 грн
50+10025.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E2G32D4DE-046 AAT:C Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2133MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MT53E2G32D4DE-046 AAT:C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C MT53E2G32D4DE-046 AAT:C MICRON 3916741.pdf Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C Micron DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 AT
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C 3916741.pdf
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 AT
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.