MT53E2G32D4DE-046 WT:C Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 2G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6899.50 грн |
| 10+ | 6126.58 грн |
| 25+ | 5924.87 грн |
| 50+ | 5419.63 грн |
| 100+ | 5281.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E2G32D4DE-046 WT:C Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E2G32D4DE-046 WT:C за ціною від 4821.49 грн до 11776.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E2G32D4DE-046 WT:C | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 WT:C | Виробник : Micron |
DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 WT |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 WT:C | Виробник : Micron Technology |
LPDDR4 64G 2GX32 DRAM Chip |
товару немає в наявності |