
MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1130.13 грн |
10+ | 1009.12 грн |
25+ | 977.62 грн |
40+ | 902.35 грн |
80+ | 880.19 грн |
230+ | 846.92 грн |
440+ | 813.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E512M32D1NP-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E512M32D1NP-046 WT:B за ціною від 788.78 грн до 1716.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Виробник : MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Виробник : Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Виробник : Micron Technology |
![]() |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Виробник : Micron Technology |
![]() |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товару немає в наявності |