Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B Micron Technology Inc.


Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1363.12 грн
10+1216.07 грн
25+1177.72 грн
50+1078.25 грн
100+1051.48 грн
250+1016.66 грн
500+974.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit.

Інші пропозиції MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B MICRON MICT-S-A0015638924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B MICT-S-A0015638924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.