MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1153.92 грн |
10+ | 1030.34 грн |
25+ | 998.04 грн |
50+ | 913.84 грн |
100+ | 891.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E512M32D1ZW-046 WT:B за ціною від 787.18 грн до 1346.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Виробник : MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Виробник : Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA Z42M |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Виробник : Micron Technology |
![]() |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |