Продукція > MICRON > MT53E512M64D2HJ-046 WT:B
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

MT53E512M64D2HJ-046 WT:B MICRON

Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M64D2HJ-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 556Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2374.34 грн
5+2229.92 грн
10+2116.03 грн
25+1834.61 грн
50+1605.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E512M64D2HJ-046 WT:B MICRON

Description: MICRON - MT53E512M64D2HJ-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 556Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B Виробник : Micron Technology DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 512Mx64 1.1V/1.8V 556-Pin TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.