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MT53E512M64D2NW-046 WT:B

MT53E512M64D2NW-046 WT:B MICRON


Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M64D2NW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 432 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 432Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
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Технічний опис MT53E512M64D2NW-046 WT:B MICRON

Description: MICRON - MT53E512M64D2NW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 432 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 432Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit.