Продукція > MICRON > MT53E512M64D2RR-046 WT:B

MT53E512M64D2RR-046 WT:B MICRON



Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M64D2RR-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, FBGA
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+30137.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E512M64D2RR-046 WT:B MICRON

Description: MICRON - MT53E512M64D2RR-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, FBGA, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 32Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit.

Інші пропозиції MT53E512M64D2RR-046 WT:B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MT53E512M64D2RR-046 WT:B Micron Technology Inc. Description: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
Package / Case: 556-BGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 64
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 556-WFBGA
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E512M64D2RR-046 WT:B Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 64 556/841 WFBGA 2 WT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E512M64D2RR-046 WT:B
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
Package / Case: 556-BGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 64
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 556-WFBGA
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT53E512M64D2RR-046 WT:B
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 32Gbit 64 556/841 WFBGA 2 WT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.