Продукція > MICRON > MT62F1G32D2DS-020AIT:F
MT62F1G32D2DS-020AIT:F

MT62F1G32D2DS-020AIT:F MICRON


315b441b563by42msdpddpqdp8dplpddr5xitwt.pdf
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-020AIT:F - DRAM, Mobile LPDDR5/LPDDR5X, 4 GB, 1G x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5/LPDDR5X
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 4GB
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 4.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23243.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT62F1G32D2DS-020AIT:F MICRON

Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-020AIT:F - DRAM, Mobile LPDDR5/LPDDR5X, 4 GB, 1G x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5/LPDDR5X, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 4GB, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.05V, Taktfrequenz, max.: 4.8GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 315Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції MT62F1G32D2DS-020AIT:F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MT62F1G32D2DS-020AIT:F MT62F1G32D2DS-020AIT:F Виробник : Micron Technology Inc. 315b441b563by42msdpddpqdp8dplpddr5xitwt.pdf Description: LPDDR5 32GBIT 32 315/315 TFBGA 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 315-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 315-TFBGA (12.4x15)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.