Продукція > MICRON > MT62F512M32D1DS-020 WT:E
MT62F512M32D1DS-020 WT:E

MT62F512M32D1DS-020 WT:E MICRON


315b-441b-561b-y52q-sdp-ddp-lpddr5x.pdf
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-020 WT:E - DRAM, Mobile LPDDR5, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27273.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT62F512M32D1DS-020 WT:E MICRON

Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-020 WT:E - DRAM, Mobile LPDDR5, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 4.8GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 315Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції MT62F512M32D1DS-020 WT:E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MT62F512M32D1DS-020 WT:E Виробник : Micron Technology Inc. 315b-441b-561b-y52q-sdp-ddp-lpddr5x.pdf Description: LPDDR5 16GBIT 32 315/315 TFBGA 1
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.