Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MTA4ATF51264HZ-3G2R1
MTA4ATF51264HZ-3G2R1

MTA4ATF51264HZ-3G2R1 Micron Technology Inc.

atf4c512x64hz.pdf?rev=e4f0743341814159bc75d9f2511f4dfd
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: MODULE DDR4 SDRAM 4GB 260SODIMM
Packaging: Tray
Package / Case: 260-SODIMM
Memory Size: 4GB
Memory Type: DDR4 SDRAM
Transfer Rate (Mb/s, MT/s, MHz): 3200
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6003.94 грн
10+5332.35 грн
25+5157.16 грн
50+4717.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTA4ATF51264HZ-3G2R1 Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MTA4ATF51264HZ-3G2R1 - RAM-Speichermodul, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig, Notebook-SODIMM, tariffCode: 84733020, Speicheranwendung: Notebook-SODIMM, Modul-Formfaktor: DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Modulspeicher: PC4-3200, isCanonical: Y, Speicherdichte: 4GB, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 1.14V, euEccn: NLR, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 1.26V, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speichergeschwindigkeit: 1MHz, Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MTA4ATF51264HZ-3G2R1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MTA4ATF51264HZ-3G2R1 MTA4ATF51264HZ-3G2R1 MICRON 3273888.pdf Description: MICRON - MTA4ATF51264HZ-3G2R1 - RAM-Speichermodul, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig, Notebook-SODIMM
tariffCode: 84733020
Speicheranwendung: Notebook-SODIMM
Modul-Formfaktor: DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulspeicher: PC4-3200
isCanonical: Y
Speicherdichte: 4GB
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speichergeschwindigkeit: 1MHz
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTA4ATF51264HZ-3G2R1 MTA4ATF51264HZ-3G2R1 Micron atf4c512x64hz.pdf?rev=e4f0743341814159bc75d9f2511f4dfd Memory Modules DDR4 4GByte SODIMM
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTA4ATF51264HZ-3G2R1 3273888.pdf
MTA4ATF51264HZ-3G2R1
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MTA4ATF51264HZ-3G2R1 - RAM-Speichermodul, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig, Notebook-SODIMM
tariffCode: 84733020
Speicheranwendung: Notebook-SODIMM
Modul-Formfaktor: DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulspeicher: PC4-3200
isCanonical: Y
Speicherdichte: 4GB
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speichergeschwindigkeit: 1MHz
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTA4ATF51264HZ-3G2R1 atf4c512x64hz.pdf?rev=e4f0743341814159bc75d9f2511f4dfd
MTA4ATF51264HZ-3G2R1
Виробник: Micron
Memory Modules DDR4 4GByte SODIMM
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.