на замовлення 110843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 98.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MTB16N25E onsemi
Description: ONSEMI - MTB16N25E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.17 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TMOS E-FET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MTB16N25E за ціною від 113.61 грн до 113.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MTB16N25E | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MTB16N25E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.17 ohm, D2PAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TMOS E-FET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 110843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| MTB16N25E |
|
на замовлення 111710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |