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Технічний опис MTB16N25ET4 onsemi
Description: ONSEMI - MTB16N25ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.17 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TMOS E-FET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MTB16N25ET4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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MTB16N25ET4 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MTB16N25ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.17 ohm, D2PAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TMOS E-FET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 184800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 553 шт В кошику од. на суму грн. |
| MTB16N25ET4 |
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на замовлення 196800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MTB16N25ET4 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MTB16N25ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.17 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMOS E-FET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MTB16N25ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.17 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMOS E-FET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 184800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)