Продукція > ONSEMI > MTB29N15ET4
MTB29N15ET4

MTB29N15ET4 onsemi

ONSMS12527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
149+133.63 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTB29N15ET4 onsemi

Description: ONSEMI - MTB29N15ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.054 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MTB29N15ET4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MTB29N15ET4 ON ONSMS12527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTB29N15ET4 ONSEMI ONSM-S-A0013298782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MTB29N15ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.054 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTB29N15ET4 ONSMS12527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON
TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTB29N15ET4 ONSM-S-A0013298782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MTB29N15ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.054 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.