MTB29N15ET4 onsemi
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 122.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MTB29N15ET4 onsemi
Description: ONSEMI - MTB29N15ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.054 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MTB29N15ET4 за ціною від 155.60 грн до 155.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTB29N15ET4 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MTB29N15ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.054 ohm, D2PAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 47200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| MTB29N15ET4 | Виробник : ON |
TO263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |