Продукція > ON > MTB30P06VT4G

MTB30P06VT4G ON

mtb30p06v-d.pdf
Виробник: ON

на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTB30P06VT4G ON

Description: MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MTB30P06VT4G за ціною від 87.00 грн до 87.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MTB30P06VT4G MTB30P06VT4G
Код товару: 34638
Додати до обраних Обраний товар
ON mtb30p06v-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 30 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,80 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1562/26
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+87.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MTB30P06VT4G MTB30P06VT4G onsemi mtb30p06v-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTB30P06VT4G MTB30P06VT4G onsemi mtb30p06v-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTB30P06VT4G MTB30P06VT4G onsemi MTB30P06V_D-2316476.pdf MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTB30P06VT4G
Код товару: 34638
Додати до обраних Обраний товар
mtb30p06v-d.pdf
MTB30P06VT4G
Виробник: ON
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 30 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,80 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1562/26
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+87.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MTB30P06VT4G mtb30p06v-d.pdf
MTB30P06VT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTB30P06VT4G mtb30p06v-d.pdf
MTB30P06VT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTB30P06VT4G MTB30P06V_D-2316476.pdf
MTB30P06VT4G
Виробник: onsemi
MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.