Продукція > ONSEMI > MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G

MTB50P03HDLT4G onsemi

MTB50P03HDL.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+153.44 грн
1600+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTB50P03HDLT4G onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MTB50P03HDLT4G за ціною від 186.40 грн до 405.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLT4G onsemi MTB50P03HDL.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.98 грн
10+260.45 грн
100+186.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MTB50P03HDLT4G ON MTB50P03HDL.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDL.pdf
MTB50P03HDLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+405.98 грн
10+260.45 грн
100+186.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDL.pdf
Виробник: ON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.