Продукція > ONSEMI > MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G

MTB50P03HDLT4G onsemi

MTB50P03HDL.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+153.63 грн
1600+146.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTB50P03HDLT4G onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MTB50P03HDLT4G за ціною від 186.63 грн до 406.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLT4G Виробник : onsemi MTB50P03HDL.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.47 грн
10+260.77 грн
100+186.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MTB50P03HDLT4G Виробник : ON MTB50P03HDL.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTB50P03HDLT4G Виробник : ON MTB50P03HDL.pdf 08+ TSSOP16
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLT4G Виробник : ON Semiconductor mtb50p03hdl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLT4G Виробник : ON Semiconductor mtb50p03hdl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLT4G Виробник : onsemi MTB50P03HDL_D-2316247.pdf MOSFETs PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.