Продукція > IXYS > MTC120WX55GD-SMD
MTC120WX55GD-SMD

MTC120WX55GD-SMD IXYS


MTC120WX55GD_tent-3312234.pdf Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules MOSFET Module - Sixpack ISOPLUS-DIL
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2390.21 грн
10+2133.04 грн
25+1792.94 грн
50+1766.53 грн
104+1740.12 грн
208+1687.30 грн
520+1601.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTC120WX55GD-SMD IXYS

Description: MOSFET 6N-CH 55V 150A, Packaging: Tube, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA.

Інші пропозиції MTC120WX55GD-SMD за ціною від 2084.09 грн до 2084.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MTC120WX55GD-SMD Виробник : IXYS MTC120WX55GD_tent.pdf Description: MOSFET 6N-CH 55V 150A
Packaging: Tube
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+2084.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MTC120WX55GD-SMD Виробник : Littelfuse 2viewer.aspxphttp3a2f2fixapps.ixys.fdatasheet2fmtc120wx55gd_te.pdf Three Phase Full Bridge With Trench MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.