Продукція > MTD > MTD2955VT4

MTD2955VT4


mtd2955v-d.pdf Виробник:

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTD2955VT4

Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MTD2955VT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MTD2955VT4 MTD2955VT4 Виробник : onsemi mtd2955v-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товар відсутній
MTD2955VT4 MTD2955VT4 Виробник : onsemi MTD2955V_D-2316382.pdf MOSFET Power MOSFET 60 V, 12 A, P Channel DPAK
товар відсутній