Технічний опис MTM231232LBF Panasonic
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1-B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: SMini3-G1-B, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції MTM231232LBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
MTM231232LBF Код товару: 185584 |
 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||
 |
MTM231232LBF | Виробник : Panasonic |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin SMini3-G1-B T/R |
товар відсутній |
|
 |
MTM231232LBF | Виробник : Panasonic Electronic Components |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1-B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: SMini3-G1-B Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
MTM231232LBF | Виробник : Panasonic |
MOSFET P-ch Power MOSFET SOT-323 |
товар відсутній |