Продукція > PANASONIC > MTM78E2B0LBF
MTM78E2B0LBF

MTM78E2B0LBF Panasonic


MTM78E2B0LBF_E-947445.pdf Виробник: Panasonic
MOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm
на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTM78E2B0LBF Panasonic

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: WSMINI8-F1-B.

Інші пропозиції MTM78E2B0LBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MTM78E2B0LBF MTM78E2B0LBF_DS.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTM78E2B0LBF MTM78E2B0LBF Виробник : Panasonic Electronic Components MTM78E2B0LBF_DS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: WSMINI8-F1-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.