на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
283+ | 86.63 грн |
500+ | 77.97 грн |
1000+ | 71.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MTP3055VL FAIRCHILD
Description: ONSEMI - MTP3055VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MTP3055VL за ціною від 46.56 грн до 160.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MTP3055VL Код товару: 103013
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
MTP3055VL | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MTP3055VL | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MTP3055VL | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MTP3055VL | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MTP3055VL | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTP3055VL | Виробник : TO-220 |
![]() |
на замовлення 512 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MTP3055VL | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |