MTY25N60E onsemi
Виробник: onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 467.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MTY25N60E onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V.
Інші пропозиції MTY25N60E за ціною від 538.43 грн до 538.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTY25N60E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MTY25N60E - MOSFET, N TO-264 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| MTY25N60E |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |