MTY30N50E onsemi

ONSM-S-A0002809579-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10080 pF @ 25 V

на замовлення 7932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
55+	365.85 грн

Мінімальне замовлення: 55

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MTY30N50E onsemi

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MTY30N50E

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	MTY30N50E	Виробник : ON		на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
	MTY30N50E Код товару: 23918	Виробник : Motorola	Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-264 Uds,V: 500 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 7200/235 Монтаж: THT	товар відсутній