Продукція > IXYS > MUBW10-06A6K

MUBW10-06A6K IXYS

Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules NPT IGBT 600V, 10A

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MUBW10-06A6K IXYS

Description: IGBT MODULE 600V 11A 50W E1, Packaging: Box, Package / Case: E1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 10A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E1, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 50 W, Current - Collector Cutoff (Max): 65 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 220 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MUBW10-06A6K

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	MUBW10-06A6K	Виробник : IXYS	MUBW10-06A6K IGBT modules	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	MUBW10-06A6K	Виробник : IXYS	Description: IGBT MODULE 600V 11A 50W E1 Packaging: Box Package / Case: E1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E1 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 50 W Current - Collector Cutoff (Max): 65 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 220 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.