Продукція > IXYS > MUBW10-12A7

MUBW10-12A7 IXYS


MUBW10-12A7-1548055.pdf
Виробник: IXYS
IGBT Modules 10 Amps 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUBW10-12A7 IXYS

Description: IGBT MODULE 1200V 20A 105W E2, Packaging: Bulk, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 105 W, Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MUBW10-12A7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUBW10-12A7 Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUBW10-12A7 IXYS Description: IGBT MODULE 1200V 20A 105W E2
Packaging: Bulk
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 105 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUBW10-12A7 IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 35A
Power dissipation: 180W
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUBW10-12A7
Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUBW10-12A7
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 20A 105W E2
Packaging: Bulk
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 105 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUBW10-12A7
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 35A
Power dissipation: 180W
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.