MUBW100-06A8
Виробник:
MODULE IGBT CBI E3 Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUBW100-06A8
Description: IGBT MODULE 600V 125A 410W E3, Packaging: Box, Package / Case: E3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E3, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 125 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 410 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.4 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MUBW100-06A8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MUBW100-06A8 | IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 125A 410W E3 Packaging: Box Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 125 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 410 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.4 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
MUBW100-06A8 | IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 600V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MUBW100-06A8 |
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 125A 410W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 600V 125A 410W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUBW100-06A8 |
|
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 600V
Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.