Продукція > IXYS > MUBW20-06A7
MUBW20-06A7

MUBW20-06A7 IXYS


MUBW20-06A7-1548059.pdf Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 20 Amps 600V
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUBW20-06A7 IXYS

Description: IGBT MODULE 600V 35A 125W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 125 W, Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MUBW20-06A7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUBW20-06A7
Код товару: 111992
Транзистори > IGBT
товар відсутній
MUBW20-06A7 Виробник : IXYS Description: IGBT MODULE 600V 35A 125W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
товар відсутній