MUBW25-06A6K IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 31A 100W E1
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E1
Packaging: Box
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: E1
NTC Thermistor: Yes
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUBW25-06A6K IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 31A 100W E1, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: E1, Packaging: Box, Current - Collector (Ic) (Max): 31 A, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: E1, NTC Thermistor: Yes.
Інші пропозиції MUBW25-06A6K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
MUBW25-06A6K | IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 25 Amps 600V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MUBW25-06A6K |
![]() |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 25 Amps 600V
Discrete Semiconductor Modules 25 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



