Продукція > IXYS > MUBW25-12A7
MUBW25-12A7

MUBW25-12A7 IXYS

MUBW25-12A7-1548137.pdf Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 25 Amps 1200V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUBW25-12A7 IXYS

Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2, Packaging: Bulk, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MUBW25-12A7 за ціною від 7012.40 грн до 7012.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUBW25-12A7 Виробник : IXYS MUBW25-12A7.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
Packaging: Bulk
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7012.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUBW25-12A7 Виробник : IXYS MUBW25-12A7.pdf MUBW25-12A7 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.