Продукція > IXYS > MUBW25-12A7
MUBW25-12A7

MUBW25-12A7 IXYS


MUBW25-12A7-1548137.pdf Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 25 Amps 1200V
на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUBW25-12A7 IXYS

Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2, Packaging: Bulk, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MUBW25-12A7 за ціною від 6179.66 грн до 6179.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUBW25-12A7 Виробник : IXYS MUBW25-12A7.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
Packaging: Bulk
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6179.66 грн
MUBW25-12A7 Виробник : IXYS MUBW25-12A7.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW25-12A7 Виробник : IXYS MUBW25-12A7.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній