на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4184.93 грн |
| 10+ | 3874.86 грн |
| 48+ | 3125.1 грн |
| 120+ | 2914.13 грн |
| 264+ | 2855.38 грн |
| 504+ | 2796.63 грн |
| 1008+ | 2795.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUBW30-12A6K IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 21A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 21A, Case: E1-Pack, Application: motors, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 130W, Technology: NPT, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MUBW30-12A6K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MUBW30-12A6K | Виробник : IXYS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 21A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 21A Case: E1-Pack Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 130W Technology: NPT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MUBW30-12A6K | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 30A 130W E1 Packaging: Box Package / Case: E1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E1 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 130 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||
| MUBW30-12A6K | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 21A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 21A Case: E1-Pack Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 130W Technology: NPT Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |