Технічний опис MUBW35-12E7 IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 52A 225W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 52 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MUBW35-12E7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MUBW35-12E7 | Виробник : IXYS |
 52A/1200V/MOSFET |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MUBW35-12E7 | Виробник : IXYS |
MODULE |
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MUBW35-12E7 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 52A 225W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 52 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
 |
MUBW35-12E7 | Виробник : IXYS |
IGBT Modules 35 Amps 1200V |
товару немає в наявності |