Продукція > IXYS > MUBW50-12A8

MUBW50-12A8 IXYS

Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 50 Amps 1200V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MUBW50-12A8 IXYS

Description: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E3, Packaging: Box, Package / Case: E3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E3, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3.7 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MUBW50-12A8

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	MUBW50-12A8	Виробник : IXYS	MUBW50-12A8 IGBT modules	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	MUBW50-12A8	Виробник : IXYS	Description: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E3 Packaging: Box Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 3.7 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.