MUN2111T1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15874+ | 2.22 грн |
| 100000+ | 1.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2111T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 338mW, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції MUN2111T1G за ціною від 1.87 грн до 14.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 32846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59Resistors Included: R1 and R2 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 230 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 8480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 8480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 338mW Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Manufacturer standard package: 3000pcs. Current gain: 35...60 |
на замовлення 1984 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUN2111T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 230 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 17555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MUN2111T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 25390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MUN2111T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 338mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MUN2111T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 338mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15874+ | 2.22 грн |
| 100000+ | 1.87 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15874+ | 2.22 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15874+ | 2.22 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15874+ | 2.22 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15874+ | 2.22 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15874+ | 2.22 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 32846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15874+ | 2.22 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistors Included: R1 and R2
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistors Included: R1 and R2
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.53 грн |
| 6000+ | 2.17 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.26 грн |
| 6000+ | 3.10 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4323+ | 3.26 грн |
| 6000+ | 3.10 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3677+ | 3.84 грн |
| 9000+ | 3.58 грн |
| 27000+ | 3.56 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 6.38 грн |
| 500+ | 4.64 грн |
| 1000+ | 3.93 грн |
| 3000+ | 3.00 грн |
| 6000+ | 2.67 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2213+ | 6.38 грн |
| 3043+ | 4.64 грн |
| 3589+ | 3.93 грн |
| 4532+ | 3.00 грн |
| 6000+ | 2.67 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 35...60
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 35...60
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 13.52 грн |
| 46+ | 9.20 грн |
| 55+ | 7.61 грн |
| 105+ | 4.02 грн |
| 500+ | 2.73 грн |
| 1000+ | 2.41 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.08 грн |
| 39+ | 7.91 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 500+ | 3.35 грн |
| 1000+ | 2.94 грн |
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 25390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MUN2111T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






