MUN2112T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2112T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Power - Max: 230 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MUN2112T1G за ціною від 1.83 грн до 14.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN2112T1G | onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR PNP |
на замовлення 118668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MUN2112T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 5848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MUN2112T1G |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUN2112T1G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR PNP
Digital Transistors SS BR XSTR PNP
на замовлення 118668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 12.01 грн |
| 45+ | 7.29 грн |
| 100+ | 3.95 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.54 грн |
| 3000+ | 1.83 грн |
| MUN2112T1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.27 грн |
| 38+ | 8.25 грн |
| 100+ | 5.09 грн |
| 500+ | 3.48 грн |
| 1000+ | 3.06 грн |