Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2211JT1G
MUN2211JT1G

MUN2211JT1G ON Semiconductor

mun2211t1-biasresistortransistors.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2211JT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції MUN2211JT1G за ціною від 2.09 грн до 2.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2211JT1G MUN2211JT1G Виробник : ON Semiconductor mun2211t1-biasresistortransistors.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1G MUN2211JT1G Виробник : ON Semiconductor mun2211t1-biasresistortransistors.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1G MUN2211JT1G Виробник : onsemi Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1G Виробник : ONSEMI ONSMS26118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1G MUN2211JT1G Виробник : ON Semiconductor mun2211t1-biasresistortransistors.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1G MUN2211JT1G Виробник : onsemi Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1G MUN2211JT1G Виробник : ON Semiconductor DTC114E-D-346514.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.