Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2211T3G
MUN2211T3G

MUN2211T3G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2211T3G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції MUN2211T3G за ціною від 1.17 грн до 11.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.98 грн
20000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 88260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.36 грн
55+6.16 грн
100+3.30 грн
1000+1.91 грн
2500+1.69 грн
10000+1.25 грн
20000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 38115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
43+7.19 грн
100+4.46 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
2000+2.34 грн
5000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 88340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3G MUN2211T3G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.