MUN2211T3G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18988+ | 1.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2211T3G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції MUN2211T3G за ціною від 1.60 грн до 11.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN2211T3G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 7205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2211T3G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2211T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MUN2211T3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 88340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MUN2211T3G |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MUN2211T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MUN2211T3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MUN2211T3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 |
товару немає в наявності |