Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2212T1G
MUN2212T1G

MUN2212T1G ON Semiconductor

dtc124ed.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9555+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 9555
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2212T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN2212T1G за ціною від 0.63 грн до 15.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 62700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.33 грн
6000+2.12 грн
9000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.39 грн
1000+2.71 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3178+3.81 грн
3659+3.31 грн
4492+2.70 грн
6000+2.23 грн
9000+1.95 грн
15000+1.69 грн
21000+1.61 грн
30000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3178
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : onsemi DTC124E_D-1773603.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN
на замовлення 11237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.17 грн
48+7.39 грн
100+4.01 грн
500+2.95 грн
1000+2.57 грн
3000+1.97 грн
9000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EAB018FD750749&compId=MUN2212.PDF?ci_sign=1438ccdcdd99a1fb568e0c71ceafba830b3072f4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.21 грн
100+2.94 грн
500+1.13 грн
1670+0.66 грн
4580+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.98 грн
106+8.04 грн
169+5.04 грн
500+3.39 грн
1000+2.71 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 28650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.90 грн
35+9.22 грн
100+4.95 грн
500+3.65 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+15.26 грн
74+9.40 грн
121+5.75 грн
500+4.00 грн
1000+3.22 грн
3000+2.51 грн
6000+2.17 грн
9000+2.04 грн
15000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EAB018FD750749&compId=MUN2212.PDF?ci_sign=1438ccdcdd99a1fb568e0c71ceafba830b3072f4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.