Продукція > ONSEMI > MUN2212T1G
MUN2212T1G

MUN2212T1G onsemi

dtc124e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.32 грн
6000+2.11 грн
9000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2212T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MUN2212T1G за ціною від 0.98 грн до 14.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.91 грн
1000+1.81 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+8.00 грн
89+7.92 грн
90+7.84 грн
125+5.43 грн
250+4.98 грн
500+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+12.11 грн
108+7.85 грн
244+3.48 грн
500+2.91 грн
1000+2.44 грн
5000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 28650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.88 грн
35+9.20 грн
100+4.94 грн
500+3.65 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : onsemi DTC124E_D-1773603.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.88 грн
26+13.80 грн
100+6.49 грн
500+4.07 грн
1000+2.79 грн
3000+2.04 грн
9000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G Виробник : ONSEMI dtc124e-d.pdf MUN2212T1G NPN SMD transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.22 грн
1070+1.04 грн
2935+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.