Продукція > ONSEMI > MUN2212T1G
MUN2212T1G

MUN2212T1G onsemi

dtc124e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.20 грн
6000+2.01 грн
9000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2212T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Power - Max: 338 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MUN2212T1G за ціною від 1.58 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN2212T1G MUN2212T1G onsemi DTC124E_D-1773603.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN
на замовлення 11237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.09 грн
48+6.73 грн
100+3.65 грн
500+2.69 грн
1000+2.34 грн
3000+1.79 грн
9000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G MUN2212T1G onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
35+8.73 грн
100+4.69 грн
500+3.46 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G ONN dtc124e-d.pdf
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G DTC124E_D-1773603.pdf
MUN2212T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN
на замовлення 11237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.09 грн
48+6.73 грн
100+3.65 грн
500+2.69 грн
1000+2.34 грн
3000+1.79 грн
9000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G dtc124e-d.pdf
MUN2212T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.17 грн
35+8.73 грн
100+4.69 грн
500+3.46 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1G dtc124e-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.